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PTF080901	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz Description The PTF080901 is a 90 W, internally matched GOLDMOS FET intended for EDGE and CDMA applications in the 860 to 960 MHz band. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability. Features • Broadband internal matching • Typical EDGE performance - Average output	Infineon 英飞凌	Infineon
PTF080901E	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz Description The PTF080901 is a 90 W, internally matched GOLDMOS FET intended for EDGE and CDMA applications in the 860 to 960 MHz band. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability. Features • Broadband internal matching • Typical EDGE performance - Average output	Infineon 英飞凌	Infineon
PTF080901F	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz Description The PTF080901 is a 90 W, internally matched GOLDMOS FET intended for EDGE and CDMA applications in the 860 to 960 MHz band. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability. Features • Broadband internal matching • Typical EDGE performance - Average output	Infineon 英飞凌	Infineon

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更新时间：2025-12-25 23:01:01

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PTH05050WAH 800000PCS
2025-5-22
PT908-7C-F
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2022-9-1
PT7738
PT7738，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-3-19
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深圳市励芯恒智能科技有限公司原装正品，假一赔十！
2020-11-3
PTH05010WAH非隔离式DC/DC转换器.假一罚十
1 Output SMD/SMT 非隔离式DC/DC转换器， 0 V to 20 kV 非隔离式DC/DC转换器， Through Hole 3.3 V 非隔离式DC/DC转换器， 9 V to 36 V 非隔离式DC/DC转换器， 5 V 非隔离式DC/DC转换器， 18 V to 28 V 1 Output 非隔离式DC/DC转换器
2020-2-26
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2019-10-29