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PTD80N06	沟槽型功率场效应管	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
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80N06LG	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization:	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
80N06	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.28925 Mbytes Page：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
80N06	Fast Switching Speed 文件：67.88 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BR80N06	N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package 文件：1.40473 Mbytes Page：8 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN

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更新时间：2025-10-15 14:16:00

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2019-10-29