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PT9926

沟槽型功率场效应管

HTSEMI

金誉半导体

Power switching application

Description The 9926 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply

GOFORD

谷峰半导体

Dual N-Channel MOSFET

Features 6A, 20 V. rDS(on) = 0.030 @ VGS = 4.5 V 5.2A, 20 V rDS(on) = 0.040 @ VGS = 2.5 V.

TUOFENG

拓锋半导体

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件:996.47 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

6A竊?0V Dual N-CHANNEL MOSFET

文件:124.3 Kbytes Page:4 Pages

KIA

可易亚半导体

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

文件:117.54 Kbytes Page:5 Pages

Fairchild

仙童半导体

更新时间:2025-12-26 19:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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