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RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

The RF Sub–Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Designed for W–CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN–PCS/cell

Motorola

摩托罗拉

更新时间:2025-12-23 10:21:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FREESCALE
2019+
SMD
6992
原厂渠道 可含税出货
24+
5000
公司存货
FREESCALE
24+
射频管
3500
郑重承诺只做原装进口现货
Freescale
25+
SMD
2789
全新原装自家现货!价格优势!
24+
N/A
52000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
FREESCALE/飞思卡尔
21+
NA
12820
只做原装,质量保证
恩XP
22+
NI1230
9000
原厂渠道,现货配单
FSL
23+
SMD
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
FREESCALE
25+
NA
880000
明嘉莱只做原装正品现货
FSL
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势

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