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RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

The RF Sub–Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Designed for W–CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN–PCS/cell

Motorola

摩托罗拉

更新时间:2025-10-15 19:10:01
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