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RFPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

TheRFSub–MicronMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET DesignedforW–CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN–PCS/cell

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
更新时间:2024-9-23 18:54:01
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