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N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • High commutation ruggedness • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤0.66Ω • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

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无锡固电

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更新时间:2025-10-19 12:00:01
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