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HCS65R660S

Superior Avalanche Rugged Technology

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N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • High commutation ruggedness • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤0.66Ω • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

ISC

无锡固电

Superior Avalanche Rugged Technology

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650V N-Channel Super Junction MOSFET

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650V N-Channel Super Junction MOSFET

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更新时间:2025-8-6 17:17:00
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