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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HCU65R660S | 650V N-Channel Super Junction MOSFET 文件：285.62 Kbytes Page：8 Pages | SEMIHOW |   | |
N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • High commutation ruggedness • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤0.66Ω • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation | ISC 无锡固电 | | ||
Superior Avalanche Rugged Technology 文件：285.62 Kbytes Page：8 Pages | SEMIHOW | | ||
650V N-Channel Super Junction MOSFET 文件：285.62 Kbytes Page：8 Pages | SEMIHOW | | ||
Superior Avalanche Rugged Technology 文件：188.97 Kbytes Page：7 Pages | SEMIHOW | |
更新时间：2025-9-25 23:01:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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