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Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V, 20A, RDS(ON) = 25mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 32mW @VGS = 4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 60V, 7.3A, RDS(ON) = 26mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 35mW @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Surface mount Package. ■ Lead free product is acquired.

CET

华瑞

Precision Potentiometer / Position Sensor

文件:417.4 Kbytes Page:3 Pages

BITECH

1.0A Dual USB High-Side Power Switch

文件:222.44 Kbytes Page:9 Pages

AIC

沛亨半导体

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.53941 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTER

杜因特

更新时间:2025-12-24 23:03:01
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    PJD45P04,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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