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MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • High temperature operation (Tch = 175°C MAX.) • Built-in charge pump circuit • Low on-state resistance RDS(on) = 100 mΩ MAX. (VIN = VIH, IO = 1.5 A, Tch = 25°C) • Built-in protection circuit - Current limitation - Over temperature protection • Built-in open load detection circui

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-10-15 23:00:01
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