| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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PHW9N60E | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control | ISC 无锡固电 |   | |
PHW9N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated 文件：102.87 Kbytes Page：9 Pages | PHILIPS 飞利浦 | | |
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-9-20
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