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PHP9N60E | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control | ISC 无锡固电 |   | |
PHP9N60E | N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.10597 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
PHP9N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated 文件：41.63 Kbytes Page：7 Pages | PHILIPS 飞利浦 | | |
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TO-220 |
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VISHAY/威世 |
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PHI |
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TO |
130000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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PHI |
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2019-9-20
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