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位置：首页 > IC中文资料第1272页 > PHP63NQ03LT

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
PHP63NQ03LT

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 68.9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 17.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

PHP63NQ03LT

TrenchMOS logic level FET

文件：104.28 Kbytes Page：14 Pages

Philips

飞利浦

PHP63NQ03LT,127

MOSFET N-CH 30V 68.9A TO220AB

ETC

知名厂家

PHB63NQ03LT

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 66A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 11mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

PHB63NQ03LT

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 69A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 13mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

PHD63NQ03LT

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 69A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 13mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

PHB63NQ03LT

TrenchMOS logic level FET

文件：104.28 Kbytes Page：14 Pages

Philips

飞利浦

PHD63NQ03LT

TrenchMOS logic level FET

文件：104.28 Kbytes Page：14 Pages

Philips

飞利浦

PHP63NQ03LT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHP63NQ03LT

  • 功能描述

    MOSFET RAIL PWR-MOS

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

PHP63NQ03LT供应商更多...

更新时间：2025-11-24 17:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市振宏微科技有限公司
PHP65N06T
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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