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PHP24N03T

TrenchMOStransistorStandardlevelFET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.ItisintendedforuseinDC-DCconvertersa

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飞利浦荷兰皇家飞利浦

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PHP24N03LT

TrenchMOStransistorLogiclevelFET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP24N03LTissupp

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PHB24N03LT

TrenchMOStransistorLogiclevelFET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP24N03LTissupp

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TrenchMOStransistorStandardlevelFET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintended

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PHD24N03

TrenchMOStransistorLogiclevelFET

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability:PHD24N03LTinSOT428(D-PAK). Features ■TrenchMOS™technology ■Lowon-stateresistance ■Avalancheruggednessrated ■Logiclevelcompati

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PHD24N03LT

TrenchMOStransistorLogiclevelFET

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability:PHD24N03LTinSOT428(D-PAK). Features ■TrenchMOS™technology ■Lowon-stateresistance ■Avalancheruggednessrated ■Logiclevelcompati

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PHP24N03T供应商更多...

更新时间：2024-4-29 15:39:00
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