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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
PHB24N03T

TrenchMOStransistorStandardlevelFET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintended

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
PHB24N03LT

TrenchMOStransistorLogiclevelFET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP24N03LTissupp

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PHD24N03

TrenchMOStransistorLogiclevelFET

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability:PHD24N03LTinSOT428(D-PAK). Features ■TrenchMOS™technology ■Lowon-stateresistance ■Avalancheruggednessrated ■Logiclevelcompati

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PHD24N03LT

TrenchMOStransistorLogiclevelFET

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability:PHD24N03LTinSOT428(D-PAK). Features ■TrenchMOS™technology ■Lowon-stateresistance ■Avalancheruggednessrated ■Logiclevelcompati

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TrenchMOStransistorLogiclevelFET

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PHB24N03T供应商更多...

更新时间：2024-5-15 17:25:00
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深圳市维尔达电子有限公司
PHB25201T-1R5MSR
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深圳市亚泰盈科电子有限公司
PHB25201T-2R2JS/PSB25201T2R2JSR
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