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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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PHP119NQ06T | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 7.1mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control | ISC 无锡固电 |   | |
PHP119NQ06T | N-channel TrenchMOS standard level FET | ETC 知名厂家 | ETC | |
PHP119NQ06T | N-channel TrenchMOS standard level FET | ETC 知名厂家 | ETC | |
PHP119NQ06T | N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：94.09 Kbytes Page：13 Pages | Philips 飞利浦 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 7.1mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control | ISC 无锡固电 | | ||
N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：94.09 Kbytes Page：13 Pages | Philips 飞利浦 | | ||
N-channel TrenchMOS standard level FET | ETC 知名厂家 | ETC | |
PHP119NQ06T产品属性
- 类型
描述
- 型号
PHP119NQ06T
- 功能描述
MOSFET TRENCHMOS(TM)FET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
25+23+ |
TO-220 |
22497 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
PH |
24+ |
SOT78TO-220AB |
8866 |
||||
恩XP |
24+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
恩XP |
23+ |
TO2203 |
7000 |
||||
恩XP |
2447 |
TO-220 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
PHI |
20+ |
TO-220 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
恩XP |
10+ |
TO-220 |
133 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
恩XP |
17+ |
SOT78TO-220AB |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|||
恩XP |
23+ |
TO-220 |
5126 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
恩XP |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
PHP119NQ06T规格书下载地址
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