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PHP119NQ06T中文资料

厂家型号

PHP119NQ06T

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94.09Kbytes

页面数量

13

功能描述

N-channel TrenchMOS standard level FET

MOSFET TRENCHMOS(TM)FET

数据手册

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生产厂商

PHI

PHP119NQ06T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHP119NQ06T

  • 功能描述

    MOSFET TRENCHMOS(TM)FET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-15 13:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
24+
TO-220
60000
恩XP
17+
SOT78TO-220AB
31518
原装正品 可含税交易
PH
24+
SOT78TO-220AB
8866
恩XP
23+
TO-220
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
恩XP
25+23+
TO-220
22497
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20+
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10+
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力