| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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120-/128-OUTPUTTFT-LCDGATEDRIVER [NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 |  |   | |
MOSINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Outputwithhighdielectricstrength(on/offrange:VDD-VEE1=40VMAX.) •Built-inshiftdirectionchange-overfunction •Shiftablenegativesupplyvoltage(VEE1)level(shiftrange:|VEE1-VEE2|=10V) •TwoacceptableCMOSinputlevels(3.3and5V) •Outputenablefunction | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | | |
120-/128-OUTPUTTFT-LCDGATEDRIVER [NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | | | |
SiliconCarbideDiode 文件：266.83 Kbytes Page：10 Pages | WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司 |  | | |
SiliconCarbideDiode 文件：270 Kbytes Page：10 Pages | WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-5-15PC185
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2019-8-5
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