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NXPSC16650B

Silicon Carbide Diode

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瑞能半导体

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Silicon Carbide Diodes

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瑞能半导体

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瑞能半导体

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:SILICON CARBIDE POWER DIODE 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

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瑞能半导体

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • Output with high dielectric strength (on/off range: VDD - VEE1 = 40 VMAX.) • Built-in shift direction change-over function • Shiftable negative supply voltage (VEE1) level (shift range: |VEE1 - VEE2| = 10 V) • Two acceptable CMOS input levels (3.3 and 5 V) • Output enable function

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更新时间:2025-11-22 11:10:00
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