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P9006EVG

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS= - 60V, ID= -12A RDS(ON)

Bychip

百域芯

P9006EVG

MOSFETs

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微无锡旭康微电子有限公司

P9006EVG

Power MOSFET

NIKOSEM

尼克森

P9006EVG

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.06445 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

P9006EVG

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:494.9 Kbytes Page:5 Pages

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微无锡旭康微电子有限公司

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

‘GENERAL FEATURES * Vos=-60V b =-4A + Roson

TECHPUBLIC

台舟电子

场效应管(MOSFET)

TECHPUBLIC

台舟电子

Modular Industrial Switchwww

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REDLION

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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ACE

characteristics of SAW Filter

文件:66.63 Kbytes Page:3 Pages

ACT

2 GHz to 28 GHz, GaAs, pHEMT, MMIC Low Noise Amplifier

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AD

亚德诺

2 GHz to 28 GHz, GaAs, pHEMT, MMIC Low Noise Amplifier

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AD

亚德诺

更新时间:2025-10-16 22:59:00
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