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P9006EVG-TP

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

‘GENERAL FEATURES * Vos=-60V b =-4A + Roson

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台舟电子

P9006EVG-TP

场效应管(MOSFET)

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台舟电子

Modular Industrial Switchwww

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2 GHz to 28 GHz, GaAs, pHEMT, MMIC Low Noise Amplifier

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亚德诺

2 GHz to 28 GHz, GaAs, pHEMT, MMIC Low Noise Amplifier

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亚德诺

更新时间:2025-12-20 23:01:00
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