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P9006EVG中文资料

厂家型号

P9006EVG

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5

功能描述

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

BYCHIP

P9006EVG数据手册规格书PDF详情

Features

VDS= - 60V, ID= -12A

RDS(ON) < 25mΩ @ VGS = -10V

RDS(ON) < 28mΩ @ VGS = -4.5V

General Features

Advanced Trench Technology

Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate

Charge

Lead Free and Green Available

更新时间:2025-12-15 20:18:00
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