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N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 4.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance; -RDS(on) = 0.92Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 600 V, 0.85 ?? 4.6 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600 V, 0.85 ?? 4.6 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600V - 0.85廓 - 4.6A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh??Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-10-18 12:00:01
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