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P6NM60N

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 4.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance; -RDS(on) = 0.92Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 600 V, 0.85 ?? 4.6 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600 V, 0.85 ?? 4.6 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600V - 0.85廓 - 4.6A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh??Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-9-26 8:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
23+
TO-220
89630
当天发货全新原装现货
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SMB
200000
ST/进口原
17+
TO-220
6200
S
23+
TO-220AB
6000
原装正品,支持实单

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