型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STD6NM60N

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 4.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance; -RDS(on) = 0.92Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

STD6NM60N

N-channel 600V - 0.85廓 - 4.6A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh??Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD6NM60N

N-channel 600 V, 0.85 ?? 4.6 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD6NM60N

N-channel 600V - 0.85Ω - 4.6A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh™ Power MOSFET

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600 V, 0.85 ?? 4.6 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK

文件:698.48 Kbytes Page:19 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600V - 0.85廓 - 4.6A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh??Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-channel 600 V, 0.85 ?? 4.6 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD6NM60N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STD6NM60N

  • 功能描述

    MOSFET Power MOSFET Power MDmesh

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-26 11:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
23+
TO-252
30000
全新原装现货,价格优势
ST/意法
2003+
TO252
2375
原装现货
ST/意法
25+
TO252
32360
ST/意法全新特价STD6NM60N即刻询购立享优惠#长期有货
ST
20+
TO252
500
原装
ST/意法
24+
TO-252
15000
只做原厂渠道 可追溯货源
ST/意法
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
NK/南科功率
2025+
TO-252
986966
国产
ST
25+23+
TO-252
27036
绝对原装正品全新进口深圳现货
ST
23+
TO-252
8650
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ST/意法
2450+
TO-252
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!

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