型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STD6NM60N

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 4.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance; -RDS(on) = 0.92Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

STD6NM60N

N-channel 600V - 0.85Ω - 4.6A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh™ Power MOSFET

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD6NM60N

N-channel 600V - 0.85廓 - 4.6A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh??Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD6NM60N

N-channel 600 V, 0.85 ?? 4.6 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600 V, 0.85 ?? 4.6 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600V - 0.85廓 - 4.6A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh??Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.10719 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-channel 600 V, 0.85 ?? 4.6 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD6NM60N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STD6NM60N

  • 功能描述

    MOSFET Power MOSFET Power MDmesh

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-21 18:33:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
09+
TO252
15700
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ST/意法
2450+
TO-252
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
ST/意法
24+
N/A
5000
原装分货 强势渠道
ST/意法
09+
TO-252
15000
ST/意法
24+
TO252
990000
明嘉莱只做原装正品现货
ST/意法
24+
NA/
15700
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ST/意法
25+
TO-252
30000
全新原装现货,价格优势
ST
25+23+
TO-252
27036
绝对原装正品全新进口深圳现货
ST/意法
2025+
TO252
2375
原装进口价格优 请找坤融电子!
ST
23+24
TO-252
29840
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管

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