| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP36P04KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 17.0 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −18 A) RDS(on)2 = 23.5 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −18 A) • Low input capacitance | NEC 瑞萨 |   | ||
isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 17mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 17mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
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2019-11-26P3403ACL全新原装现货
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2019-9-17P4010S
P4010S，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-15P35-4304-000-200-模拟杂项
特点 ·宽带0.5 - 16GHz的 ·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的 ·衰减0.5dB步进到31.5分贝 ·开关速度快 ·通过提高性能的砷化镓过孔 P35 -4304-000 -200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信，仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线，实现全衰减范围组合。模具制造，使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程（S20）。它是完全
2012-12-20
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