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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NP36P04KDG | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP36P04KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 17.0 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −18 A) RDS(on)2 = 23.5 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −18 A) • Low input capacitance | NEC 瑞萨 |   | |
NP36P04KDG | isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 17mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | |
NP36P04KDG | Power MOSFETs for Automotive | RENESAS 瑞萨 | | |
NP36P04KDG | Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages | RENESAS 瑞萨 | | |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP36P04KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 17.0 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −18 A) RDS(on)2 = 23.5 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −18 A) • Low input capacitance | NEC 瑞萨 | | ||
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP36P04KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 17.0 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −18 A) RDS(on)2 = 23.5 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −18 A) • Low input capacitance | NEC 瑞萨 | | ||
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET 文件：299.6 Kbytes Page：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
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isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 17mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
NP36P04KDG产品属性
- 类型
描述
- 型号
NP36P04KDG
- 制造商
NEC
- 制造商全称
NEC
- 功能描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENE |
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深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号： NP16N06QLK-E1-AY 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Renesas Electronics America Inc 封装：8-PowerL
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2019-9-10
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