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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STD10P6F6

P-channel60V,0.15廓typ.,10ASTripFET??VIDeepGATE??PowerMOSFETinDPAKandTO-220packages

Description ThesedevicesareP-channelPowerMOSFETsdevelopedusingtheSTripFET™F6technology,withanewtrenchgatestructure.TheresultingPowerMOSFETsexhibitverylowRDS(on)inallpackages. Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lo

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
STD10P6F6

P-channel-60V,0.13Ωtyp.,-10ASTripFET™F6PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages

Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
STF10P6F6

P-channel-60V,0.13Ωtyp.,-10ASTripFET™F6PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages

Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications Description ThesedevicesareP-channelPowerMOSFETs developedusingtheSTripFET™F6technology, withanewtrenchgatestructure.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
STF10P6F6

P-channel-60V,0.13Ωtyp.,-10ASTripFET™F6PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages

Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
STP10P6F6

N-Channel60V(D-S)MOSFET

文件：1.09165 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

P10P6F6供应商更多...

更新时间：2025-7-21 11:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市润联芯城科技有限公司
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深圳市华斯顿科技有限公司
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千层芯半导体(深圳)有限公司
STF-10-S1
Sage Millmeter
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模块
400
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