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NVBG160N120SC1中文资料

厂家型号

NVBG160N120SC1

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8

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 160 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NVBG160N120SC1数据手册规格书PDF详情

Features

• Typ. RDS(on) = 160 m

• Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 33.8 nC)

• Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 50.7 pF)

• 100 Avalanche Tested

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• Automotive On Board Charger

• Automotive DC-DC converter for EV/HEV

更新时间:2025-8-17 16:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-263-7
8357
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
onsemi
23+
D2PAK-7L
1356
原厂正品现货SiC MOSFET全系列
onsemi
2025+
D2PAK-7
55740
onsemi
21+
740
只做原装,优势渠道 ,欢迎实单联系
ON(安森美)
23+
12859
公司只做原装正品,假一赔十
ON(安森美)
24+
N/A
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原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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标准封装
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正规渠道,只有原装!
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23+
标准封装
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