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厂家型号	NVBG080N120SC1
文件大小	323.41Kbytes
页面数量	8页
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	ONSEMI

Features

• Typ. RDS(on) = 80 m

• Ultra Low Gate Charge (Typ. QG(tot) = 56 nC)

• Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss = 79 pF)

• 100 Avalanche Tested

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• Automotive On Board Charger

• Automotive DC-DC Converter for EV/HEV

NVBG080N120SC1供应商...

更新时间：2026-2-12 9:38:00

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