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厂家型号	NVBG1000N170M1
文件大小	375.57Kbytes
页面数量	8页
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 960 mohm, 1700V, M1, D2PAK-7L
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	ONSEMI

Features

• Typ. RDS(on) = 960 m @ VGS = 20 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 14 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 11 pF)

• 100 Avalanche Tested

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• Flyback Converter

NVBG1000N170M1供应商...

更新时间：2026-2-11 23:00:00

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