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NVBG080N120SC1_V01中文资料

厂家型号

NVBG080N120SC1_V01

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8

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NVBG080N120SC1_V01数据手册规格书PDF详情

Features

• Typ. RDS(on) = 80 m

• Ultra Low Gate Charge (Typ. QG(tot) = 56 nC)

• Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss = 79 pF)

• 100 Avalanche Tested

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• Automotive On Board Charger

• Automotive DC-DC Converter for EV/HEV

更新时间:2025-10-13 9:13:00
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