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NGD8201ANT4G中文资料

厂家型号

NGD8201ANT4G

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125.66Kbytes

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8

功能描述

Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel DPAK

IGBT 晶体管 NGD8201ANT4G GEN4 IGBT

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NGD8201ANT4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NGD8201ANT4G

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 NGD8201ANT4G GEN4 IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-11 22:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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NGD8201ANT4G 价格

参考价格:¥4.9762

型号:NGD8201ANT4G 品牌:ONSemi 备注:这里有NGD8201ANT4G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NGD8201ANT4G批发/采购报价,NGD8201ANT4G行情走势销售排排榜,NGD8201ANT4G报价。

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