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FDG6316P中文资料

厂家型号

FDG6316P

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7

功能描述

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench ®MOSFET

MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

FDG6316P数据手册规格书PDF详情

General Description

This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications.

Applications

• Battery management

• Load switch

Features

• –0.7 A, –12 V. RDS(ON) = 270 mΩ @ VGS = –4.5 V

RDS(ON) = 360 mΩ @ VGS = –2.5 V

RDS(ON) = 650 mΩ @ VGS = –1.8 V

• Low gate charge

• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

• Compact industry standard SC70-6 surface mount package

FDG6316P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDG6316P

  • 功能描述

    MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-20 14:16:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI
24+
1218000
原装现货,欢迎询价
FAIRCHILD
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SC70-6L
33450
原装正品 可含税交易

FDG6316P 价格

参考价格:¥0.5845

型号:FDG6316P 品牌:FAIRCHILD 备注:这里有FDG6316P多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FDG6316P批发/采购报价,FDG6316P行情走势销售排排榜,FDG6316P报价。