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高压GreenMOS

ORIENTAL

东方马达

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 4.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.9Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

600V 0.9(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

600V 0.9(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

600V 0.9(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

Low power loss by high speed switching and low on-resistance

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MGCHIP

更新时间:2026-1-5 17:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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