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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
MMD60R900PRH	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=4.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MMD60R900PRH	600V0.9(ohm)N-channelMOSFET 文件：1.14025 Mbytes Page：10 Pages	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
MMD60R900P	600V0.9(ohm)N-channelMOSFET 文件：1.14025 Mbytes Page：10 Pages	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
MMD60R900QRH	Lowpowerlossbyhighspeedswitchingandlowon-resistance 文件：1.27895 Mbytes Page：10 Pages	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
60R900P	600V0.9(ohm)N-channelMOSFET 文件：1.14025 Mbytes Page：10 Pages	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.

MMD60R900PRH供应商更多...

更新时间：2025-6-26 22:59:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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MMBZ5251B原包原装量大价优
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2024-12-17
MMC5983MA
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2024-4-23
MMDT3904G-SOT363R-TG_UTC代理商
MMDT3904G-SOT363R-TG_UTC代理商
2023-3-6
MMDJ-M65608EV-30MQ
AD9642BCPZ-250 AD9650BCPZ-25 AD9640ABCPZ-150 AD9643BCPZ-250 AD9162BBCA AD9251BCPZ-65 AD9640ABCPZ-105 AD9854ASVZ HMCAD1520TR HMC1020LP4ETR HMC1010LP4ETR HMC1097LP4ETR ADSP-TS201SABP-060 ADSP-TS201SABP-050 5962-8770002EA 5962-8777101MCA 5962-8948102VX 5962-8982502PA 5962-9078501MLA
2019-11-30
MMCP-67204HV-25MQ5962-8956810QTC
BAL-0003SMGMarki2019+6000超宽带SMT巴伦 BAL-0006SMGMarki2019+6000超宽带SMT巴伦 BAL-0009SMGMarki2019+6000超宽带SMT巴伦 BAL-0208SMGMarki2019+6000超宽带SMT巴伦 BAL-0416SMGMarki2019+6000超宽带SMT巴伦 BAL-0620SMGMarki2019+6000超宽带SMT巴伦 BALH-0003SMGMarki2019+
2019-11-30
MMDJ-65608EV-30MQ静态随机存取存储器
制造商:Microchip 产品种类:静态随机存取存储器存储容量:128kbit 访问时间:30ns 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:4.5V 电源电流—最大值:110mA 最小工作温度:-55C 最大工作温度:+125C 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:Flatpack-32 数据速率:SDR 类型:Asynchronous 商标
2019-11-29