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PBSS4160DPN中文资料

厂家型号

PBSS4160DPN

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380.69Kbytes

页面数量

19

功能描述

60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor

两极晶体管 - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS TAPE-7

数据手册

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生产厂商

NEXPERIA

PBSS4160DPN数据手册规格书PDF详情

Features

* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* High collector current capability: IC and ICM

* High collector current gain (hFE) at high IC

* High efficiency due to less heat generation

* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

PBSS4160DPN产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PBSS4160DPN

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS TAPE-7

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-14 16:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEXPERIA
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PBSS4160DPN,115 价格

参考价格:¥0.4819

型号:PBSS4160DPN,115 品牌:NXP 备注:这里有PBSS4160DPN多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,PBSS4160DPN批发/采购报价,PBSS4160DPN行情走势销售排排榜,PBSS4160DPN报价。