LM299H-电压基准

时间:2013-3-21 15:26:00

LM199/LM299/LM399/LM3999精密基准一般描述该LM199系列精密,温度稳定提供温度系数的因素单片齐纳二极管十比齐纳二极管更好的高品质的参考。构建在一个单芯片是温度稳定电路齐纳和积极的参考。主动电路降低齐纳的动态阻抗约0.5瓦,并允许齐纳操作超过0.5mA到10mA电流范围基本上没有电压或温度变化系数。此外,一个新的地下结

LM199/LM299/LM399/LM3999 精密基准

一般描述
该LM199系列精密,温度稳定提供温度系数的因素单片齐纳二极管十比齐纳二极管更好的高品质的参考。构建在一个单芯片是温度稳定电路齐纳和积极的参考。主动电路降低齐纳的动态阻抗约0.5瓦,并允许齐纳操作超过0.5 mA到10 mA电流范围基本上没有电压或温度变化系数。此外,一个新的地下结构使齐纳低噪声和出色的长期稳定性比普通单片齐纳二极管。该软件包是配备有热盾,以减少功耗,提高温度加热器监管。LM199系列的引用是非常容易使用
和自由的,常常遇到的问题与普通齐纳二极管。几乎没有参考迟滞电压与温度循环。此外,LM199是免费的电压的变化,由于要强调的线索。最后,由于
单位是温度稳定,预热时间快。该LM199可以用在几乎任何地方应用改进性能一般齐纳二极管。有些理想的应用是模拟到数字转换器,校准标准,精密电​​压或电流源或精度电源。此外,在许多情况下,可以替代LM199在现有设备的引用以最低布线的变化。LM199系列的器件封装在一个标准的密封TO - 46封装内的热屏蔽。是的LM199额定工作在-55 ° C至+125 ° C,而LM299是额定工作在-25 ° C至+85 ° C和LM399是从0 ° C至+70° C的额定该LM3999封装在一个标准的TO- 92封装被评为从0 ° C至+70 ° C

特点
保证0.0001%/ ° C的温度系数
低动态阻抗 -0.5瓦
初始容差对击穿电压- 2%
夏普击穿400微安
宽工作电流- 500μA到10毫安
温度稳定的电源电压范围宽
保证低噪音
低功率稳定- 300° C间在25毫瓦
久的长期稳定性-20页
高可靠性,低应力在TO- 46封装集成电路气密封装,低磁滞经过热循环。三千三点〇〇万小时在TA的MTBF=25℃(温TJ =86℃)
认证的长期稳定提供
MIL - STD- 883标准

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