SI2304BDS-T1-GE3

时间:2019-10-25 11:03:00

SI2304BDS-T1-GE3

SI2304BDS-T1-GE3 单N 沟道30V 0.07Ohm 0.75W 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-23-3

SI2304BDS-T1-GE3产品详细规格

标准包装 3,000

FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点 Logic Level Gate

漏极至源极电压(VDSS) 30V

电流-连续漏极(编号)@ 25°C 2.6A

Rds(最大)@ ID,VGS 70 mOhm @ 2.5A, 10V

VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250μA

栅极电荷(Qg)@ VGS 4nC @ 5V

输入电容(Ciss)@ Vds的 225pF @ 15V

功率 - 最大 750mW

安装类型 Surface Mount

包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)

包装材料 Tape & Reel (TR)

包装 3SOT-23

通道模式 Enhancement

最大漏源电压 30 V

最大连续漏极电流 2.6 A

RDS -于 70@10V mOhm

最大门源电压 ±20 V

典型导通延迟时间 7.5 ns

典型上升时间 12.5 ns

典型关闭延迟时间 19 ns

典型下降时间 15 ns

工作温度 -55 to 150 °C

安装 Surface Mount

标准包装 Tape & Reel

最大门源电压 ±20

包装宽度 1.4(Max)

PCB 3

最大功率耗散 750

最大漏源电压 30

欧盟RoHS指令 Compliant

最大漏源电阻 70@10V

每个芯片的元件数 1

最低工作温度 -55

供应商封装形式 SOT-23

标准包装名称 SOT-23

最高工作温度 150

渠道类型 N

包装长度 3.04(Max)

引脚数 3

包装高度 1.02(Max)

最大连续漏极电流 2.6

封装 Tape and_Reel

铅形状 Gull-wing

单位包 0

最小起订量 1

FET特点 Logic Level Gate

安装类型 Surface Mount

电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 2.6A (Ta)

的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250μA

供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)

开态Rds(最大)@ Id ,V GS 70 mOhm @ 2.5A, 10V

FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大 750mW

漏极至源极电压(Vdss) 30V

输入电容(Ciss ) @ VDS 225pF @ 15V

闸电荷(Qg ) @ VGS 4nC @ 5V

封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

其他名称 SI2304BDS-T1-GE3CT

工厂包装数量 3000

产品种类 MOSFET

晶体管极性 N-Channel

配置 Single

源极击穿电压 +/- 20 V

连续漏极电流 2.6 A

安装风格 SMD/SMT

RDS(ON) 70 mOhms

功率耗散 750 mW

最低工作温度 - 55 C

封装/外壳 TO-236-3

零件号别名 SI2304BDS-GE3

上升时间 12.5 ns

最高工作温度 + 150 C

漏源击穿电压 30 V

RoHS RoHS Compliant

下降时间 12.5 ns

Continuous Drain Current Id :3.2A

Drain Source Voltage Vds :30V

On Resistance Rds(on) :105mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs :20V

“国产大硅片是国家集成电路领域需重点突破的三大战略任务之一。2018年300nm硅片Top5公司的市场份额约98%,集中度非常高。目前国内12/8英寸硅片企业(超过16家)发展现状整体呈现小而散的局面,缺乏国际竞争力。”在今日举办的2019中国集成电路产业发展研讨会暨第二十二届中国集成电路制造年会上,上海硅产业集团股份有限公司执行副总裁李炜博士如是说。

就国内硅片企业发展现状,李炜博士认为,从企业公告来看,国内硅片企业8英寸(重掺)硅片产能过剩,8英寸(轻掺)硅片需要在技术上突破,在成本上需要与Top5去竞争。12英寸硅片仅上海新昇取得产业化突破;8英寸SOI新傲科技已取得国际先进水平的成果,下一阶段将着力发展12英寸SOI的技术研发和生产。

李炜博士表示,上海新昇是第一家国产大硅片量产企业,现有产能达15万片/月,现有产房可容30万片/月产能。2019年,上海新昇有超过10款正片论证通过。上海新昇已实现了300mm国产大硅片从0到1的跨越,并朝着300mm国产大硅片从1到∞的方向努力,而从1到∞,正是国产大硅片的终极目标。

  此外,李炜博士也对全球市场进行分析。他表示,经过前两年供不应求的局面,现在硅片市场是供略过于求的局面。全球300mm硅片现在的月出货量接近600万片,而全球的装机容量在550万片左右。据预测,2020年300mm晶圆厂设备安装产能为563万片/月,随着晶圆厂安装产能的提升,300mm硅片需求量将进一步上升。

AD8505ARJZ AD8532ARZ-REEL7 AD8534ARZ-REEL AD8541ARTZ-REEL7 AD8542ARZ-REEL7 AD8544ARUZ AD8544ARZ AD8613AUJZ AD8617ARZ-REEL7 AD8692ARZ-REEL7 AD8694ARZ-REEL7 ADA4505-1ARJZ

 今年9月,可谓是集成电路产业“大月”,多个晶圆厂、集成电路项目陆续投产。

  9月21日,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司大硅片项目竣工投产,实现了8英寸大硅片的正式量产,同时12英寸大硅片生产线进入调试、试生产阶段。

  9月20日,在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上,长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产。

  9月20日,粤芯举行了12英寸晶圆项目投产启动活动。

  9月17日,华虹无锡项目取得阶段性进展,一期12英寸生产线顺利建成投片在无锡项目现场举行。

  9月10日,聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司举行了8英寸GaN外延材料项目投产暨产品发布仪式。

  据证券时报网报道,2016-2018年开始规划或动工的第一轮大陆晶圆厂陆续投产,产品设计和工艺技术等日趋成熟。

  中银国际认为,部分国产集成电路工艺设备已有一定市场地位,但在新一轮晶圆厂的设备采购中,来自国际一流进口品牌的价格竞争压力加大。综合长江存储、华力二期、华虹七厂的设备采购情况,工艺设备平均国产化率仅为10%左右,国产化程度较高的是去胶设备、热处理、清洗设备、刻蚀机、PVD、CMP和镀铜设备,国产化率分别为87%、25%、22%、21%、13%、12%、11%。在新一轮设备采购中,这些国产设备有机会继续扩大市场份额,但据中银国际估计,仍处于绝对垄断地位的国际进口品牌,将会采用通过降低价格来稳定市占率的竞争策略,给国产设备带来成本压力。

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型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
2024-4-25 11:43:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
2023+
SOT23-3
5185
全新原厂原装产品、公司现货销售
VISHAY/威世
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SOT23
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SOT-23
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
VISHAY
19+
SOT-23
200000
VISHAY(威世)
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SOT-23
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假一赔百原装正品价格优势实单可谈