SI2303CDS-T1-GE3 VISHAY 30 V 0.19 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3
SI2303CDS-T1-GE3产品详细规格
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 2.7A
Rds（最大）@ ID，VGS 190 mOhm @ 1.9A， 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 3V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 8nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 155pF @ 15V
功率 - 最大 2.3W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 1.9 A
RDS -于 190@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 36 ns
典型上升时间 37 ns
典型关闭延迟时间 12 ns
典型下降时间 9 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
产品种类 MOSFET
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 P-Channel
漏源击穿电压 30 V
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 1.9 A
抗漏源极RDS （ ON） 0.19 Ohms
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SOT-23-3
封装 Reel
下降时间 37 ns
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 1 W
上升时间 37 ns
工厂包装数量 3000
零件号别名 SI2303CDS-GE3
最大门源电压 ±20
包装宽度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 1000
最大漏源电压 30
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 190@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
包装长度 3.04(Max)
引脚数 3
包装高度 1.02(Max)
最大连续漏极电流 1.9
铅形状 Gull-wing
P（ TOT ） 2.3W
匹配代码 SI2303CDS
单位包 3000
标准的提前期 15 weeks
最小起订量 3000
极化 P-CHANNEL
无铅Defin RoHS-conform
我（D ） 2.7A
V（ DS ） 30V
R（ DS上） 0.158Ohm
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 2.7A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 3V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 190 mOhm @ 1.9A， 10V
FET型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 2.3W
漏极至源极电压（Vdss） 30V
输入电容（Ciss ） @ VDS 155pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS 8nC @ 10V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2303CDS-T1-GE3CT
类别 Power MOSFET
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm
身高 1.02mm
长度 3.04mm
最大漏源电阻 0.19 Ω
最大功率耗散 1 W
包装类型 SOT-23
典型栅极电荷@ VGS 2 nC V @ 4.5， 4 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 155 pF V @ 15
宽度 1.4mm
RDS（ON） 190 mOhms
栅源电压（最大值） ?20 V
漏源导通电阻 0.19 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 30 V
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :-2.7A
Drain Source Voltage Vds :-30V
On Resistance Rds(on) :0.158ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-10V
Threshold Voltage Vgs :-3V
功耗 :1W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
Current Id Max :-1.9A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
在2019中国集成电路产业发展研讨会暨第二十二届中国集成电路制造年会上，上海华虹宏力半导体制造有限公司执行副总裁周卫平介绍了华虹集团制造基地布局情况。
自1997年建造中国大陆第一条8英寸生产线以来，华虹已设立七座工厂。华虹一厂、华虹二厂、华虹三厂为8英寸生产线，合计月产能达到17.5万片;华虹五厂、华虹六厂、华虹七厂为12英寸生产线，目前合计月产能为4.5万片，在建月产能7万片。
在工艺方面，华虹一厂最先进工艺为95nm，华虹二厂最新进工艺为0.18um，华虹三厂最新进工艺为90nm;12英寸工艺引导线，先导工艺研发进入到7-5nm;华虹五厂工艺节点为55-28nm，华虹六厂工艺节点为28-14nm，华虹七厂工艺节点为90-55nm。
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自AirPods面市以来，TWS耳机仍凭借其便捷性、智能性以及在充电续航、音质传输、连接速度等性能方面的进步，获得了终端消费者的广泛认可，市场需求呈现出爆发性增长态势。
根据高通近期发布音频技术的《2019使用现状调研报告》显示，音质连续第四年成为所有消费类音频设备品类中的首要购买动力，绝大部分受访者认为，无线耳机的音质已经达到甚至超越了有线设备。
具体在出货量方面，据Counterpoint数据显示，2018年全球TWS耳机出货量为0.46亿件，2019 年一季度出货量约0.18亿件，环比增幅达到40%;预计至2020年出货量将为 1.29 亿件，年均复合增长率高达 67%。
市场崛起，高通推出高中低端三款芯片
当前，音频产品正处于整体从有线向无线转变的转折点，同时快速向真无线产品带来的极致体验而演进，这对提升芯片的计算能力、连接能力、高分辨率音质以及主动降噪(ANC)等满足不断变化的用户需求至关重要。
作为TWS耳机芯片的主流厂商之一，Qualcomm个人音频业务产品市场高级总监Chris Havell表示，真无线耳机市场在快速崛起，从现在到明年或者未来的数年间，市场会看到这种趋势的显著变化;同时，诸如左右耳机同步等技术都必须集成进能够入耳的狭小空间里，这存在很大的挑战。
对于高通而言，Chris Havell表示，我们正面临如何进行创新以满足这些需求。对于一款真无线耳塞产品，我们需要考虑到不同方面的特性。首先，一款真无线耳塞需要支持语音助手，还需支持主动降噪，以消除背景噪音;同时，它还需要拥有可以支持全天电池续航的能力，而且左右耳塞都可以自由互换。此外，TWS耳机还需要拥有高分辨率的音质，以及支持流畅游戏或观看视频的低时延，而且还需要非常稳健的连接，不易断开。
Chris Havell强调，每一种不同的应用场景都有不同的需求或目的，也需要不同类型的技术，我们需要将这些技术集成进TWS耳塞中，以满足这些应用场景。高通正在助力消费者在不同的应用场景中顺利地使用音频产品，为市场带来多样化的解决方案。
为此，高通推出的顶级蓝牙音频SoC QCC5100系列、中端的QCC303X系列，以及入门级的QCC302X系列产品，基于高通提供的三款不同档位的SoC可以打造出多样化、不同价位的TWS产品。
“这三款SoC产品投放市场的过程中，我们也会为客户提供帮助。”Chris Havell表示，在客户的产品开发和创新方面，我们可以提供参考设计和工具，这些是将产品快速投入市场的基础，还提供了一套完整的软件解决方案，支持客户从中选择所需的技术和特性，打造出符合自己要求的产品，比如价格更低的产品、支持差异化特性的产品如支持主动降噪和语音助手，或者是面向高端市场的支持环绕立体声的入耳式产品。
值得强调的是，如果用户所使用的音频产品和移动终端搭载的都是高通的芯片，就可以充分结合两者的技术所长，能够更好的完成同步，带来最低的时延，带来更加稳健的连接性。
纳入中高端骁龙平台，TWS+产品将会涌现
目前，高通在全球和很多终端公司开展合作，同时发力国内市场推出TWS耳机，其中就包括vivo。不久前，在vivo新品发布会上，就推出了全新的vivo TWS Earphone真无线蓝牙耳机，搭载了高通SoC QCC5100系列高端芯片。
Chris Havell表示，高通很早就和vivo在QCC5100系列平台方面有过接触，我们探讨了他们对产品设计的期待，vivo也提出了一些非常具有创意的想法。我们最新推出的QCC5126旗舰平台非常契合vivo对于他们理想产品的设计理念。在这个新平台上，我们和vivo非常紧密地合作，共同发挥新平台的创新特性，vivo是我们这个平台上非常重要的客户之一。
不过，高通从发布QCC3000到5000系列，到现在vivo TWS这款产品才是第一款支持TWS+模式的真无线耳机。对此，Chris Havell认为，从技术角度来讲，TWS+和标准的TWS是不太一样的。TWS+是将独立的音频流从手机分别传输到每个耳塞中，TWS是将一个音频流传输至一个耳塞中，然后再从这个耳塞中继至另一个耳塞。所以从技术角度来讲，这是两个不同的解决方案，也需要在音频传输流的两端，也就是手机侧和耳机侧都采用高通的技术支持才能实现，这个新技术的优势也很多，尤其是更好的稳定性和更低的时延。
事实上，TWS+和常规的连接技术是不一样的，高通称之双连接，也就是两个链路直接输出到左右耳机。它的好处是没有主副耳机之分，左右耳机可以做到无缝切换。从连接技术角度来讲，这是高通领先的技术优势。
Chris Havell透露，我们的这一创新是在推出QCC5100系列产品期间实现的，之后便与移动部门的同事协作，将该技术引入到手机芯片上。最早纳入该技术的是骁龙845移动平台。目前，支持该技术的有旗舰级骁龙855、骁龙845，高端的骁龙730/730G、骁龙712、骁龙710，以及中端的骁龙675、骁龙670、骁龙665。
而高通骁龙作为当前手机厂商采用最多的处理器平台，对高通TWS芯片的应用带动会有较为明显的效果。高通骁龙平台从最早的骁龙845开始，到后续的骁龙710、骁龙670、骁龙675、骁龙855、骁龙730/730G，都开始支持TWS+技术。
在Chris Havell看来，高通将TWS+技术拓展至了许多的手机层级，要想在市场上推广这项新的技术，也需要高通这样跨层级芯片的技术能力，这也是我们在过去的18个月里努力的方向。
现阶段，TWS耳机的应用场景主要搭配智能手机使用。虽然，今年以来，全球智能手机出货量虽有所下降，但随着全球5G网络建设的持续推进，5G手机出货量将迅猛增长，并成为提振智能手机出货量的重要动力。随着越来越多的手机平台开始支持TWS+这个技术，终端也会有越来越多的设备涌现，不同厂家的耳机也可以使用到这个先进的技术，TWS耳机的市场有望进一步爆发。
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