SI2302CDS-T1-GE3 20V 710mW SOT-23-3 Power MOSFET
SI2302CDS-T1-GE3产品详细规格
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 20V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 2.6A
Rds（最大）@ ID，VGS 57 mOhm @ 3.6A， 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id 850mV @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 5.5nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的 -
功率 - 最大 710mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 2.6 A
RDS -于 57@4.5V mOhm
最大门源电压 ±8 V
典型导通延迟时间 8 ns
典型上升时间 7 ns
典型关闭延迟时间 30 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
产品种类 MOSFET
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 20 V
源极击穿电压 +/- 8 V
连续漏极电流 2.6 A
抗漏源极RDS （ ON） 0.057 Ohms
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SOT-23-3
封装 Reel
下降时间 7 ns
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 710 mW
上升时间 7 ns
工厂包装数量 3000
零件号别名 SI2302CDS-GE3
最大门源电压 ±8
包装宽度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 710
最大漏源电压 20
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 57@4.5V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 3.04(Max)
引脚数 3
包装高度 1.02(Max)
最大连续漏极电流 2.6
铅形状 Gull-wing
P（ TOT ） 0.71W
匹配代码 SI2302CDS
单位包 3000
标准的提前期 15 weeks
最小起订量 3000
极化 N-CHANNEL
无铅Defin RoHS-conform
我（D ） 2.6A
V（ DS ） 20V
R（ DS上） 0.075Ohm
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 2.6A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 850mV @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 57 mOhm @ 3.6A， 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 710mW
漏极至源极电压（Vdss） 20V
闸电荷（Qg ） @ VGS 5.5nC @ 4.5V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2302CDS-T1-GE3CT
类别 Power MOSFET
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm
身高 1.02mm
长度 3.04mm
最大漏源电阻 0.057 Ω
最大功率耗散 0.71 W
包装类型 SOT-23
典型栅极电荷@ VGS 3.5 nC V @ 4.5
宽度 1.4mm
RDS（ON） 57 mOhms
漏极电流（最大值） 2.6 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） ?8 V
输出功率（最大） Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.057 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_
漏源导通电压 20 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :2.9A
Drain Source Voltage Vds :20V
On Resistance Rds(on) :57mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :8V
Threshold Voltage Vgs :850mV
功耗 :710mW
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :-
Current Id Max :2.9A
Junction Temperature Tj Max :150°C
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :SMD
Voltage Vds Typ :20V
Voltage Vgs Max :850mV
Voltage Vgs Rds on Measurement :4.5V
Voltage Vgs th Max :0.85V
Voltage Vgs th Min :0.4V
今年8月底，紫光集团DRAM基地落户重庆两江新区，从DRAM存储芯片制造工厂，到DRAM事业群总部，再到紫光云(南方)总部，紫光在重庆的重大布局，都在两江新区。这与两江新区电子信息产业基地良好的产业生态圈有关。
在今日举办的2019中国集成电路产业发展研讨会暨第二十二届中国集成电路制造年会上，重庆两江新区也展示了其集成电路产业实力。
目前两江新区拥有三大平台，分别为两江数字经济产业园、两江协同创新区、两江新区礼嘉智慧体验园。
其中两江数字经济产业园以引进培育集成电路和新一代电子信息产品制造、软件和信息技术服务、产业数字化融合“一硬一软一融合”产业为重点，累计建成孵化器30个(国家级6个)。目前，聚集数字经济企业超过4000家，包括大数据、人工智能、集成电路、智能超算、软件服务、物联网、汽车电子、智能机器人等12大行业门类。
两江协同创新区：规划面积10平方公里的两江协同创新区以打造国家西部科技创新中心为目标，集创新研发、产业转化等功能为一体。目前已有同济大学、中科院计算所、北京理工大学、清华大学、武汉理工大学等落户协同创新区。
从发展规划上看，重庆集成电路产业规划为汽车电子、功率半导体、存储芯片三大发展方向并将建立集成电路产业3大支撑体系。集成电路产业发展生态体系+人才培养支撑体系+集成电路产业金融支撑体系
未来，重庆还将重点引进IC设计类、制造和封测类、材料类、半导体生产设备企业
目前，重庆及两江新区集成电路产品应用市场主要有五大方面笔记本电脑、手机、汽车、白色家电与仪器仪表。
笔记本电脑方面，重庆市笔电产量5730.23万台，占全球产量四分之一，其中两江新区产量1400万台。目前已有笔电品牌惠普、宏碁、华硕和六大笔电代工厂纬创、旭硕、富士康、广达、仁宝、英业达落户重庆。
汽车产业方面，2018年重庆汽车产量达200万辆，两江新区产量111.75万辆。目前汽车整车生产企业达36家，其中制造类企业(有底盘生产资质)企业16家，改装类企业20家。
汽车电子方面，重庆市聚集了汽车电子相关企业约60家，并形成了一批汽车电子技术研发创新的平台。
手机产业方面，2018年重庆市手机产量1.89亿台，占全国1/6，其中智能手机突破1亿部，重庆已成为全球第二大手机制造基地，规上手机整机企业87家，手机配套企业185家，初步形成了覆盖整机、摄像头、主板等零部件生产以及产品检测、供应链服务为一体的手机茶叶。两江新区2018年手机产量6798.63万台，同比增长146%。
目前，重庆聚集了大批集成电路上下游企业。
环境平台方面，包括两江半导体研究院有限公司产学研基地、东湖高新两江半导体产业园项目(重庆芯中心)。
封测方面，聚集了SK海力士、平伟实业、嘉凌新等企业。
设计方面，囊括了恩智浦、紫光展锐、中星微电子、伟特森、中科芯亿达、雅特力科技、重庆西南集成电路设计、芯思迈、弗瑞科技、物奇科技等企业。
制造方面，聚集了华润为电子、中科渝芯、AOS万国半导体、紫光DRAM存储芯片、信芯量子等企业。
而两江新区作为重庆集成电路发展重点区域，为集成电路产业提供了强力财力支撑。在2018年全年财政一般公共预算收入约337亿元，在19个国家级新区中排名第三，并为相关企业提供资本金支持与资金支持、融资支持。
具体来看，资本金支持包括重庆两江新区战略性新兴产业股权投资基金，重庆两江新区战略性新兴服务业股权投资基金，重庆两江新区科技创新股权投资引导基金。
资金支持包括重庆两江新区创新驱动发展撞向基金，重庆两江科技创新专项资金。
在人才聚集方面，重庆两江新区出台引进高层次紧缺人才若干政策，引进海内外英才“鸿雁计划”实施办法，两江新区人力资源公司，也是重庆有史以来最大的人才资源整合平台。
为促进集成电路企业发展，重庆两江新区对国家鼓励类企业按15%的税率征收企业所得税，根据项目贡献率新区提供优惠的产业发展扶持。两江新区工业生产要素综合成本仅相当于东部地区的70%~80%。
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自转向以数据为中心的全方位创新战略以来，英特尔正加速航行。作为重要棋子的FPGA，英特尔也加快了出新步伐。近日，英特尔宣布出货全新Stratix 10 DX FPGA，而基于10nm工艺的Agilex系列已向参与早期使用计划的客户出货，明年将正式量产。
异构方案解决加速挑战
“众所周知，数据已呈指数级增长，客户所寻求的是将这些数据货币化，希望可通过全新应用以及对现有应用提速来实现货币化的目的，而充分利用这些海量数据就需要异构方案。”英特尔公司网络和自定义逻辑事业部副总裁兼FPGA和电源产品营销总经理Patrick Dorsey指出异构计算在数据时代的优势所在，“这种异构架构包含了CPU、GPU、AI芯片以及FPGA，只有综合性、针对性地解决具体问题，才能打造一个完整的解决方案。”
而在异构平台中，FPGA绝对“不可或缺”。随着摩尔定律的放缓以及大数据、AI、5G、自动驾驶等的发展，对计算能力和带宽提出了前所未有的要求，同时新的算法新的框架层出不穷，要应对这一变化就需要灵活应变的FPGA。据预计到2022年，FPGA市场将达到75亿美元的规模，年复合成长率为9%。
而数据中心的两大指标需要“和衷共济”：即网络吞吐量必须提高，而时延必须降低。Patrick Dorsey表示，随着服务器需要更高效的计算以处理AI等相关负载，包括FPGA、GPU等在内的硬件加速器被广泛使用，但其有效性能在很大程度上取决于CPU、可用系统内存和加速器之间的通信带宽和延迟。
于是乎，在4年前英特尔将Altera纳入囊中之后，可打造“全能异构平台”的英特尔继宣布在中国重庆成立全球最大的FPGA中国创新中心以来，又重磅宣布FPGA组合家族当中的一个全新产品Stratix 10 DX，借力至强处理器Xeon+Stratix 10 DX的“组合拳”应对加速挑战。
Xeon+FPGA组合带来高内存扩展能力
对于这一全新组合，Patrick Dorsey分析其最大优势在于低时延、高带宽以及内存扩展能力。Stratix 10 DX不仅是英特尔首个支持PCIe Gen4的FPGA，同时通过与至强处理器采取超路径互连UPI，从而带来了关键价值即可快速扩展内存，如可支持8个独立的傲腾DC持久内存控制器，总容量可到4TB。
Patrick Dorsey解释说，内存无论是DDR还是傲腾，通过在至强处理器与FPGA之间共享存储，在共享过程中就不用进行数据迁移或拷贝，因数据迁移和拷贝会带来高成本，同时也会降低系统的性能。从新的内存金字塔层级来看，不同类型的内存包括存储、持久性内存以及标准化内存，Stratix 10 DX则可提高塔尖高层级内存性能，如傲腾和DRAM。
针对不同应用性能的优化，Patrick Dorsey列出了具体数字：在边缘计算应用中，Stratix 10 DX在拥有UPI之后，比仅使用PCIe的响应速度快37%。而在网络应用中，因支持PCIe Gen4，带宽比前一代PCIe Gen3扩大了两倍，使得数据处理更为快速，同时也拥有以太网功能。而在数据中心方面，通过英特尔的异构即Xeon+FPGA计算，加之PCIe Gen4与UPI的互联，总带宽可提升2.6倍。
虽然英特尔已宣布退出5G基带业务，但仍专注于基础设施。对于正式商用的5G，Stratix 10 DX也大有可为。Patrick Dorsey介绍：“Stratix 10 DX可应用于5G基站，其好处体现在低时延，尤其是当5G走向数据中心、在vRAN方面应用时配合至强处理器，可进行诸多网络功能的加速。”
目前新款FPGA与至强处理器通过UPI互连，Patrick Dorsey在谈及未来封装一体化问题提及，多样化的FPGA可使得客户进行灵活的配置和优化，集成封装还非必须。
下一代Agilex实现诸多创新
而祭出的Stratix 10 DX FPGA还只是一个发韧，对于FPGA英特尔的完整路线图已然浮出水面， Agilex FPGA系列也已出货，明年量产。
据悉，英特尔Agilex FPGA系列几乎集成了英特尔现阶段所有的技术和创新优势，包括架构、封装、工艺、开发工具以及通过eASIC技术实现降低功耗的快速方式。
Patrick Dorsey着重说，Agilex采用英特尔的10nm工艺，可对标业界的7nm水平。并且，Agilex将支持下一代UPI，即基于CXL的开放标准接口，同时还将支持第五代PCIe，其他创新还包括第二代HyperFlex架构、DSP创新等。他还强调，目前UPI只可搭配至强处理器使用，未来CXL将是公开的，可适配任何处理器。而从UPI过渡到CXL，只需对硬件接口和一些软件进行更新。最重要的是开发者已可使用UPI进行应用开发，客户也可向CLX进行无缝转移以及迭代。
放眼FPGA领域的两大巨头，在数字时代做出了殊途同归的选择，英特尔的异构平台显然是其重要筹码。Patrick Dorsey最后指出，仅仅拥有四种架构是不够的，为保证客户能够充分利用异构的优势，英特尔一方面面向开发者提供产品路线图以及one-API统一应用开发接口等，另一方面针对端到端的硬件部署与客户展开密切合作。
香港鑫锐电子有限公司，18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ，一站式终端厂家配套：(质量保证 诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。
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TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208、、IRLML2502TRPBF、TP4101、IRLML6401TRPBF、TLV70433DBVR、PESD5V0S1BB、PSM712-LF-T7、NTR4171PT1G、SGM2036-3.3YUDH4G/TR 、SGM2036-1.8YUDH4G/TR、DMN2046U-7等等。
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