NCE20P70G MOS管

NCE20P70G 是新洁能公司生产的一款 P 沟道增强型功率 MOSFET 场效应管。以下是其详细介绍：
主要参数
耐压值：VDS=-20V，即漏极和源极之间能承受的最大电压为 20V。
电流：ID=-70A，该 MOS 管能通过的连续漏极电流为 70A。
导通电阻：RDS（on）＜3mΩ@VGS=-4.5V；RDS（on）＜4mΩ@VGS=-2.5V；RDS（on）＜8mΩ@VGS=-1.8V，导通电阻较低，可有效降低导通损耗，提高效率。
产品特点
采用先进工艺：采用先进的沟槽技术和设计，提供了出色的导通电阻和低栅极电荷。
雪崩特性好：经过充分的雪崩电压和电流特性表征，具有良好的稳定性和一致性，能够承受一定的瞬态高压和大电流冲击。
散热性能佳：采用 DFN 5*6 -8L 封装，这种封装形式具有良好的散热性能，有利于将管芯产生的热量散发出去，提高器件的可靠性和稳定性。
应用领域
负载开关：可用于各类电子设备中的负载开关电路，通过控制 MOS 管的导通和关断，实现对负载的电源通断控制。
电池保护：在电池管理系统中，用于防止电池过放电、过充电以及短路等异常情况，保护电池的安全和寿命。