ISL6115-配电控制器

时间:2013-1-6 15:26:00

这个系列的全功能的热插拔电源控制器在+2.5 V至+12 V范围内的目标应用。 “ISL6115,ISL6116为+5 V,+12 V控制ISL6117为+3.3 V和2.5 V控制ISL6120应用。每个人都有一个硬连接的欠压(UV)监测和报告的阈值水平约80%上述电压。ISL6115具有一个集成的电荷泵允许控制至+16 V导轨,使用一个外部N沟道而其他设备中的MOSFET利用+12 V偏压电压

这个系列的全功能的热插拔电源控制器在+2.5 V至+12 V范围内的目标应用。 “ISL6115,ISL6116为+5 V,+12 V控制ISL6117为+3.3 V和2.5 V控制ISL6120应用。每个人都有一个硬连接的欠压(UV)监测和报告的阈值水平约80%上述电压。ISL6115具有一个集成的电荷泵允许控制至+16 V导轨,使用一个外部N沟道而其他设备中的MOSFET利用+12 V偏压电压,以全面提升的N沟道FET。所有IC具有可编程的过流(OC)检测,电流调控的时间延迟(CR),锁断,软启动。目前的监管水平是通过2个外部电阻设置;RISET设置的CR Vth的,另一种是低电阻感元素跨越的CR Vth是开发。的CR持续时间是由CTIM引脚上的外部电容收费是一个20μA电流,一旦CR Vth的水平就达到了。如果CTIM帽上的电压达到1.9V的集成电路然后迅速拉低GATE输出锁存关闭通过场效应管。这虽然高侧开关控制设计的家庭ISL6116,ISL6117,ISL6120也可以用于在低高得多的电压控制端配置潜力。

特点
•热插拔单配电控制(ISL6115
+12 V为+5 V,ISL6117 ISL6116为+3.3 V和ISL6120
+2.5 V)
•过流故障隔离
•可编程电流监管水平
•可编程电流调节时间闭锁
•轨到轨共模输入电压范围(ISL6115)
•内部电荷泵允许使用+12 V控制(ISL6115)的N沟道MOSFET
•欠压和过流闭锁指标
•可调开启斜坡上
•在打开的保护
•过电流检测提供快速的响应不同的故障条件
•1μs的响应时间完全短路
•无铅封装
•“T”型号后缀包装带卷

应用
•电源分布控制
•热插拔组件和电路

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