Technology 旗下企业）的专有 XPT?（极弱穿通）薄晶圆技术和第 4 代 (GenX4?) 沟槽式 IGBT 具有更低的热阻、低能量损耗和快开关速度。这些器件因为其正集电极-发射极电压温度系数还具有大电流能力，让设计人员可以并行使用多个器件来满足较高的电流要求和低栅极电荷，从而有助于降低栅极驱动器要求和开关损耗。
特性
正 VCE(sat) 热系数
低 Vsat，低 Eon/Eoff，高浪涌电流能力
低尾电流
应用
电源逆变器
电池充电器
电机驱动
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2025-8-1 18:31:00
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IXYS/艾赛斯 | 22+ | PLUS247 | 25000 | 只做原装进口现货,专注配单 | |||
IXYS | 23+ | TO-247 | 8000 | 只做原装现货 | |||
IXYS | 23+ | TO-247 | 7000 | ||||
IXYS/LITTELFUSE | 2044 | TO-268 | 15800 | 全新原装正品现货直销 | |||
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IXYS | 24+ | NA | 3000 | 进口原装正品优势供应 | |||
24+ | N/A | 72000 | 一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 | ||||
IXYS/艾赛斯 | 21+ | TO-247 | 10000 | 原装现货假一罚十 |
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