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MTY55N20E

TMOS POWER FET 55 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.028 OHM

TMOS E-FET Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with fast recovery time. Designed for hi

Motorola

摩托罗拉

MTY55N20E

N−Channel Power MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

MTY55N20E

N?묬hannel Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-9-25 12:00:00
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