型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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MTY55N20E | TMOS POWER FET 55 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.028 OHM TMOS E-FET Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with fast recovery time. Designed for hi | Motorola 摩托罗拉 | ||
MTY55N20E | N−Channel Power MOSFET | ONSEMI 安森美半导体 | ||
MTY55N20E | N?묬hannel Power MOSFET 文件:197.64 Kbytes Page:8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2511 |
DO-34 |
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电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
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MTY |
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MOT |
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23+ |
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原厂原包装。终端BOM表可配单。可开13%增值税 |
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