IXDN55N120D1价格

参考价格:¥131.4156

型号:IXDN55N120D1 品牌:IXYS 备注:这里有IXDN55N120D1多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXDN55N120D1批发/采购报价,IXDN55N120D1行情走势销售排行榜,IXDN55N120D1报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXDN55N120D1

High Voltage IGBT with optional Diode

High Voltage IGBT with optional Diode Short Circuit SOA Capability Square RBSOA Features ● NPT IGBT technology ● low saturation voltage ● low switching losses ● square RBSOA, no latch up ● high short circuit capability ● positive temperature coefficient for easy paralleling ● MOS input,

IXYS

IXDN55N120D1

High Voltage IGBT with optional Diode

High Voltage IGBT with optional Diode Short Circuit SOA Capability Square RBSOA Features ● NPT IGBT technology ● low saturation voltage ● low switching losses ● square RBSOA, no latch up ● high short circuit capability ● positive temperature coefficient for easy paralleling ● MOS input,

IXYS

IXDN55N120D1

IGBT

DESCRIPTION · Low switching losses · High short circuit capability · Optional ultra fast diode APPLICATIONS · Space savings · Easy to mount with 2 screws · High power density

ISC

无锡固电

IXDN55N120D1

封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 包装:散装 描述:IGBT MOD 1200V 100A 450W SOT227B 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

IXYS

IXDN55N120D1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXDN55N120D1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 55 Amps 1200V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-9 11:25:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
2023+
MODULE
230
主打螺丝模块系列
IXYS
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
IXYS
21+
模块
12588
原装正品,一级品牌代理
IXYS
24+
module
6000
全新原装正品现货 假一赔佰
24+
N/A
72000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
IXYS
10+
主营模块
85
原装正品,公司正品供应
IXYS
25+
模块
3650
自家优势产品,欢迎来电咨询!
原装
1923+
SOT-227B
8900
公司原装现货特价长期供货欢迎来电咨询
IXYS
23+
MODULE
60454
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
IXYS
23+
SOT-227B
8000
只做原装现货

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