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CEU55N15

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 150V, 55A, RDS(ON) = 17mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 150V, 55A, RDS(ON) = 17mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

更新时间:2025-11-18 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/華瑞
2511
TO-252
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