场效应管(MOSFET) ISC030N10NM6ATMA1 Infineon(英飞凌)

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 179 A

Rds On-漏源导通电阻: 3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.3 V

Qg-栅极电荷: 55 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 208 W

通道模式: Enhancement

系列: ISC030N10

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

产品: MOSFETs

产品类型: MOSFET

5000

子类别: MOSFETs