静态随机存取存储器 IS61WV10248EDBLL-10TLI

时间：2023-8-14 9:06:00

静态随机存取存储器 8M, 2.4V-3.6V, 10ns LP Async 静态随机存取存储器

制造商: ISSI

产品种类: 静态随机存取存储器

RoHS: 详细信息

存储容量: 8 Mbit

组织: 1 M x 8

访问时间: 10 ns

最大时钟频率: -

接口类型: Parallel

电源电压-最大: 3.6 V

电源电压-最小: 2.4 V

电源电流—最大值: 45 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSOP-44

商标: ISSI

存储类型: Asynchronous CMOS

湿度敏感性: Yes

产品类型: SRAM

系列: IS61WV10248EDBLL

包装数量：135

子类别: Memory & Data Storage

单位重量: 470 mg

型号查询	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
IS61WV10248EDBLL-10BLI	1M x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC	ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61WV10248EDBLL-10BI	1M x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC	ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61WV10248EDBLL-10TI	1M x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC	ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61WV10248EDBLL-10TLI	1M x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC	ISSIIntegrated Silicon Solution, Inc 矽成半导体北京矽成半导体有限公司	ISSI

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2026-1-1 9:32:00

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