RU6080L，N沟道 60V 80A，场效应管(MOSFET)
型号： RU6080L
品牌： Ruichips(锐骏半导体)
封装： TO-252
N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：55nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2.84nF@30V 反向传输电容(Crss@Vds)：140pF@30V 工作温度：+175℃@(Tj)
